Npn транзистор схема оэ

npn транзистор схема оэ
Чтобы флюктуация температуры не привела, допустим, к возникновению автогенерации каскада, предназначенного для усиления, или другим вредным последствиям, необходимо применять цепи термостабилизации режимов работы транзисторов. Однако при расчете усилителя мы не всегда имеем под рукой транзисторы, которые будем использовать, поэтому было бы неплохо иметь возможность рассчитать входное сопротивление аналитическим способом. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Так вместо резистора R4 можно поставить резистор на 620 ом, резистор R2 заменим на резистор с номиналом 20 килоом, резистор R1 заменяем на резистор 75 килоом. Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ). Содержание Упрощенная схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.


Один из слоев называется эмитерным, а другой- коллекторным . Так же называются и p-n-переходы создаваемые этими слоями со слоем базы, а также внешние выводы от этих слоев. Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Ток базы, коллектора и эмиттера и другие токи и напряжения в каскаде можно вычислить по закону Ома и правилам Кирхгофа для разветвлённой многоконтурной цепи. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов. Это отражено на рис. 4.5, на котором изображена схема включения биполярного p-n-p транзистора. С нагрузочного резистора, включённого последовательно с выводом эмиттера, снимают выходной сигнал.

Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Транзисторы, работающие в активном режиме, используются в усилительных схемах. Преимущественно под затвором существует область обеднения, в которой тоже нет носителей заряда благодаря образованию между легированным полупроводником и металлическим затвором контакта Шоттки. Схема включения транзистора с общей базой используется преимущественно в каскадах усилителей высоких частот.

Похожие записи: